TSEA

TSEA252012
TSEA252012
紧凑小体积一体成型电感

大电流和低损耗的金属材料一体压铸

高性能(Isat)由金属粉尘芯实现,低损耗由低Rdc实现

闭合磁路设计减少泄漏磁通量

乙烯热喷涂,更好的表面致密性

极小体积一体成型电感

工作温度:-55℃~+125℃

适用通信设备、平板电脑、智能手机、便携式游戏机、智能穿戴、Wi-Fi模块等

外观尺寸Outline dimension

TSEA252012

外观尺寸参数Appearance size / 单位:mm

◆  A:2.5±0.2   ◆  B:2.0±0.2   ◆  C:0.8±0.2   ◆  D:1.2Max.   ◆  E:0.85±0.2   ◆  a:2.6   ◆  b:2.1   ◆  c:0.7  

电气特性Electrical characteristics / 单位:mm

型号/NO

L/uH

DCR(mΩ)

Irms

(Amperes)

Isat

(Amperes)

PDF

TSEA252012-R10MB
0.10
10.00
10.50
12.50
TSEA252012-R15MB
0.15
11.00
10.00
12.00
TSEA252012-R22MB
0.22
14.00
7.60
9.00
TSEA252012-R24MB
0.24
15.00
7.50
8.80
TSEA252012-R24MG
0.24
15.00
7.50
8.80
TSEA252012-R33MB
0.33
17.00
6.40
7.80
TSEA252012-R47MB
0.47
19.00
6.00
7.00
TSEA252012-R47MBD
0.47
13.00
7.50
8.00
TSEA252012-R47MGD
0.47
13.00
7.50
8.00
TSEA252012-R68MB
0.68
23.00
5.50
6.00
TSEA252012-R68MBD
0.68
18.00
7.00
6.00
TSEA252012-R82MB
0.82
24.00
5.30
5.80
TSEA252012-1R0MB
1.00
42.00
3.60
5.00
TSEA252012-1R0MBD
1.00
22.00
4.50
6.00

注释

■  K表示电感值的公差为±10%,M表示电感值的公差为±20%

■  K said inductance tolerance is ±10%, M said inductance tolerance is ± 20%

■  所有数据基于环境温度25℃条件下测试

■  All data is based on testing at an ambient temperature of 25 ℃

■  本页面未能录入全部或最新的数据,请您在订购前向本公司咨询精准参数及样品。

■  We were unable to input all or the latest data on this page. Please consult our company for accurate parameters and samples before placing an order

■  测试条件:100KHZ/0.1V

■  Test conditions: 100KHZ/0.1V

提醒

■  保存条件:温度 5~40°C,相对湿度小于等于 70%。

■  Storage conditions: Temperature between 5-40 ° C, relative humidity less than or equal to 70%.

■  产品储存期不建议超过 12 个月

■  The storage period of the product is not recommended to exceed 12 months

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